半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-185343
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045712
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】CMOS型半導体装置の高密度化、高速化を可能にする。【構成】CMOS型半導体装置において、NchのN+領域からコンタクトホールを介してN+ 型多結晶シリコンによる配線層111を、PchのP+領域からコンタクトホールを介してP型多結晶シリコンによる配線層110を引出し、N+ 型多結晶シリコンによる配線層111とP+ 型多結晶シリコンによる配線層110を、高融点金属シリサイド膜112で接続する。【効果】コンタクトホールと素子分離領域間の距離が縮められるため高密度化が可能になり、N型多結晶シリコンとP型多結晶シリコン間のPNダイオードができずにNchとPchの接続が低抵抗で可能になる。更に、Nch,Pchのソース、ドレインのイオン注入ドーズ量を4×1015から1×1015まで落としてもコンタクト抵抗のオーミック性が確保できる。

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体基板に設けられた第一導電型の第一ウエル領域と、前記第一ウエル領域以外の部分に設けられた第二導電型の第二ウエル領域と、前記第一ウエル領域に設けられた第二導電型の第一拡散層、前記第二ウエル領域に設けられた第一導電型の第二拡散層とを有する半導体装置において、第二導電型の半導体膜による第一の配線層により前記第一拡散層上に設けられたコンタクトホールで第一拡散層と接続し、第一導電型の半導体膜による第二の配線層により前記第二拡散層上に設けられたコンタクトホールで第二拡散層と接続し、前記第一の配線層と第二の配線層とを高融点金属シリサイドによる第三の配線層で接続してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/28 301 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 27/08 321 F , H01L 21/90 D

前のページに戻る