特許

J-GLOBAL ID：200903081855421831

気相成長装置及び気相成長方法

発明者： 酒井 士郎 ,  高松 勇吉 ,  森 勇次 ,  ワンホンシン ,  石濱 義康 ,  網島 豊
出願人/特許権者： 日本パイオニクス株式会社 ,  徳島酸素工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-094610
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299243
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。【解決手段】 サセプタとこれに対向する反応管壁部の間隙が、原料ガス導入部のガス供給口とサセプタの原料ガス流路上流側端部の間の反応管壁における垂直方向の間隙より狭い構成の気相成長装置とする。また、前記気相成長装置の横形反応管内に、原料ガスを含むガスを供給して気相成長させる。

請求項（抜粋）：

基板を載せるためのサセプタ、該基板を加熱するためのヒーター、原料ガスの反応管内への供給方向が該基板に実質的に平行となるように配置された原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有する横形反応管からなる半導体膜の気相成長装置であって、サセプタと該サセプタに対向する反応管壁部の間隙が、原料ガス導入部のガス供給口と該サセプタの原料ガス流路上流側端部の間の反応管壁における垂直方向の間隙より狭い構成であることを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455

Fターム (34件)：

4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA03 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB02 ,  5F045CA09 ,  5F045DP18 ,  5F045EB02 ,  5F045EC02 ,  5F045EF13