特許

J-GLOBAL ID：200903081856444339

ハーフトーン型位相シフトマスク及びホールパターン形成方法

発明者： 松岡 晃次
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-075525
公開番号（公開出願番号）：特開2002-278040
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 ホールピッチが小さくなってもパターン露光時の光近接効果を低減してホールパターンの寸法精度を改善できるようにすると共にホールピッチの大小に関わらずパターン露光時の焦点深度を向上させることができるようにする。【解決手段】 基板20上にネガ型レジストを塗布してレジスト膜21を形成した後、光透過率50%の孤立遮光部11と、光透過率25%の密集遮光部12とを備えたハーフトーン型位相シフトマスク10を介してレジスト膜21に露光光22を照射する。その後、レジスト膜21を現像することにより、孤立遮光部11と対応する孤立ホールパターン23と、密集遮光部12と対応する密集ホールパターン24とを有するレジストパターン21Aを形成する。

請求項（抜粋）：

ホールパターンを形成するための遮光部が少なくとも2種類の光透過率を有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/28 D ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C

Fターム (13件)：

2H095BA01 ,  2H095BA07 ,  2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB12 ,  2H095BB36 ,  2H095BC04 ,  4M104DD06 ,  4M104DD99 ,  4M104HH14 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ37 ,  5F033XX03