バンプの形成装置およびバンプの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028984
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223696
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】半導体チップのパッド表面の酸化膜を除去して、高品質のバンプを作業性よく形成できるバンプの形成装置およびバンプの形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】真空チャンバ1に第1電極2、第2電極3、金属の溶融炉12を設ける。また真空チャンバ1内にアルゴンガスなどを供給するプラズマ発生ガス供給手段16を設ける。第2電極3に設けられたチャック4で半導体チップ5をチャックし、その状態で第1電極2に高周波の電圧を印加してプラズマを発生させる。するとパッド6表面の酸化膜はプラズマの分子やイオンによりエッチングして除去される。次に半導体チップ5を溶融炉12の上方へ移動させ、パッド6を溶融炉12中の溶融金属15に浸漬することにより、バンプ6の表面にバンプが形成される。

請求項（抜粋）：

真空チャンバと、この真空チャンバの内部に設けられた金属の溶融炉、プラズマ発生手段および半導体チップの移送手段と、この真空チャンバにプラズマ発生用ガスを供給するガス供給手段とを備え、前記プラズマ発生手段により発生したプラズマ分子やイオンによって半導体チップのパッドの表面をクリーニングした後、半導体チップを前記移送手段により前記溶融炉の上方へ移送し、その下面のパッドを溶融炉中の溶融金属に浸漬してバンプを形成することを特徴とするバンプの形成装置。

IPC (3件)：

H01L 21/321 , H01L 21/3065 , H01L 21/60 311

FI (5件)：

H01L 21/92 604 D , H01L 21/60 311 Q , H01L 21/302 N , H01L 21/92 604 Z , H01L 21/92 604 R

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