特許

J-GLOBAL ID：200903081871928695

アモルフアスシリコン太陽電池とその製造方法

発明者： 水村 孝之 ,  沢田 謙司 ,  小嶋 直樹 ,  川西 康義 ,  大月 正敏
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-274146
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129642
出願日： 1991年10月22日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 安価に能率よく大量生産でき、しかも、裏面電極5をアモルファスシリコン層3に強固に密着して、優れた電気特性とする。【構成】 透明基板1上に、透明電極2とアモルファスシリコン層3と金属薄膜層4および裏面電極5を順々に重ねて積層している。金属薄膜層4は、アモルファスシリコン層3と裏面電極5の双方に密着力が強くて耐アルカリ性を有する金属が使用される。裏面電極5は耐アルカリ性の金属が使用され、ウェットエッチングによって裏面電極5、金属薄膜層4およびアモルファスシリコン層3を貫通して透孔6または切り溝7を設けている。【効果】 裏面電極5を確実にアモルファスシリコン層3に密着でき、裏面電極5に反射率に優れた金属が使用でき、ウェットエッチングによって安価に大量生産できる。

請求項（抜粋）：

透明基板(1)上に、透明電極(2)とアモルファスシリコン層(3)と金属薄膜層(4)および裏面電極(5)を順々に重ねて積層しており、前記金属薄膜層(4)が、アモルファスシリコン層(3)と裏面電極(5)の双方に密着力が強くて耐アルカリ性を有する金属で、裏面電極(5)は耐アルカリ性の金属であり、ウェットエッチングによって前記裏面電極(5)、金属薄膜層(4)およびアモルファスシリコン層(3)を貫通して透孔(6)または切り溝(7)を設けてなるアモルファスシリコン太陽電池。

FI (2件)：

H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 S