特許
J-GLOBAL ID：200903081873741320
ナノワイヤー又はナノドット及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-282093
公開番号（公開出願番号）：特開2005-046955
出願日： 2003年07月29日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
【課題】本発明は、従来不可能であった直径が1〜10nm、長さが50nm以上の半導体材料及び金属材料からなるナノワイヤ-もしくは、直径10nm以下のナノドットの作製をナノチップの電極反応を利用して可能とすることを目的とする。【解決手段】本発明のナノワイヤー又はナノドット製造方法は、ナノチップ及び、表面に酸化被膜が形成された半導体材料及び金属材料でできた原料側部材よりなり、ナノチップと原料側部材の間に前記酸化被膜が破壊される大きさの電圧を印加しながら、前記ナノチップを前記原料側部材に接触させた後に引き離すことにより直径が1〜10nmのナノワイヤー又は直径10nm以下のナノドットを作製することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ナノチップ及び表面に酸化被膜が形成された半導体材料及び金属材料でできた原料側部材よりなり、ナノチップと原料側部材との間に、前記酸化被膜が破壊される大きさの電圧を印加しながら、前記ナノチップを前記原料側部材に接触させた後に引き離すことにより、直径が1〜10nmのナノワイヤー又は直径10nm以下のナノドットを作製することを特徴とするナノワイヤー又はナノドット製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
4K017AA03
, 4K017CA04
, 4K017CA08
, 4K017EF10
