特許

J-GLOBAL ID：200903081874671954

熱電変換装置

発明者： 安部 正幸
出願人/特許権者： 株式会社関西新技術研究所
代理人 (1件)： 北村 修一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-040017
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244023
出願日： 1999年02月18日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 p型半導体を備えてなるp型熱電変換層7とn型半導体を備えてなるn型熱電変換層4を熱吸収導電体11を介して電気的に直列接続し、その両端に熱起電力を取り出す電極12,13を設けてなる熱電変換装置であって、高感度・高検出能化が可能なものを提供する。【解決手段】 p型熱電変換層7とn型熱電変換層4の少なくとも何れか一方が、不純物を添加したキャリア供給層4b,7bと、バンドギャップがキャリア供給層4b,7bのバンドギャップより小さい高純度層4a,7aとからなるヘテロ構造を有する。

請求項（抜粋）：

p型半導体を備えてなるp型熱電変換層とn型半導体を備えてなるn型熱電変換層の内の少なくとも何れか一方の熱電変換層を有し、その熱電変換層の両端に熱起電力を取り出す電極を設けてなる熱電変換装置であって、前記熱電変換層が、不純物を添加したキャリア供給層と、バンドギャップが前記キャリア供給層のバンドギャップより小さい高純度層とからなるヘテロ構造を有する熱電変換装置。

IPC (3件)：

H01L 35/32 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/26

FI (3件)：

H01L 35/32 A ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/26