特許

J-GLOBAL ID：200903081879376152

化学的誘導及び抽出による無機汚染物質の除去方法

発明者： モンテ エイ.ダグラス ,  アレン シー.テンプルトン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-199998
公開番号（公開出願番号）：特開平10-099806
出願日： 1997年07月25日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハから無機汚染物質、特に金属汚染物質を除去する方法を提供する。【解決手段】 実質的に半導体基体の表面から無機汚染物質を除去する方法において、前記無機汚染物質を少なくとも一種類の転化剤と反応させ、それによって前記無機汚染物質を転化し、前記転化した無機汚染物質を少なくとも一種類の溶媒剤にかけてそれを除去し、その際、前記溶媒剤が第一超臨界流体中に含有されており、前記転化した無機汚染物質が前記無機汚染物質よりも一層高度に前記溶媒剤に対し可溶性である、諸工程からなる無機汚染物質の除去方法。

請求項（抜粋）：

実質的に半導体基体の表面から無機汚染物質を除去する方法において、前記無機汚染物質を少なくとも一種類の転化剤と反応させ、それによって前記無機汚染物質を転化し、前記転化した無機汚染物質を少なくとも一種類の溶媒剤にかけてそれを除去し、その際、前記溶媒剤が第一超臨界流体中に含有されており、前記転化した無機汚染物質が前記無機汚染物質よりも一層高度に前記溶媒剤に対し可溶性である、諸工程からなる無機汚染物質の除去方法。

IPC (5件)：

B08B 7/00 ,  B01D 11/00 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  C11D 7/50

FI (5件)：

B08B 7/00 ,  B01D 11/00 ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 V ,  C11D 7/50