特許

J-GLOBAL ID：200903081879840096

窒化物半導体の成長方法

発明者： 清久 裕之
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-097071
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294827
出願日： 1999年04月02日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【目的】 窒化物半導体の成長方法において、安定した成長形態により窒化物半導体からなる選択成長層を得るものである。【構成】 本発明は、サファイア若しくはスピネルよりなる異種基板の上に、窒化物半導体を成長させ、その表面に部分的にストライプ状の保護膜を設けて選択成長層を成長させる際に、保護膜のストライプ方向が異種基板の主面に垂直な結晶の面に対し、垂直な方向から0.1〜0.4°だけ傾いていることにより、安定した横方向の選択成長を実現し、均一で良好な結晶性の窒化物半導体が得られる。

請求項（抜粋）：

サファイア若しくはスピネルよりなり、第1の主面とそれに垂直な第2の結晶の面とを有する異種基板の該第1の主面上に、第1の窒化物半導体を成長させる第1の工程と、ストライプ方向が前記異種基板の第2の結晶の面に垂直な方向から0.1〜0.4°の範囲となるように、前記第1の窒化物半導体表面に部分的にストライプ状の保護膜を形成する第2の工程と、前記第1の窒化物半導体表面に前記保護膜を介して窒化物半導体よりなる選択成長層を成長させる第3の工程とを具備するものであって、前記異種基板の第1の主面がサファイアA面、C面、M面、R面から選ばれる1つの面で、前記第2の結晶の面がサファイアA面、C面、M面、R面から選ばれる1つの面であること、又は前記異種基板の第1の主面がスピネル(111)面であって、前記第2の結晶の面がスピネル(110)面であることを特徴とする窒化物半導体の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 ,  H01S 5/323

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 673 ,  H01L 31/04 E

Fターム (42件)：

5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F051AA08 ,  5F051BA11 ,  5F051CB09 ,  5F051CB22 ,  5F051GA03 ,  5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29