特許
J-GLOBAL ID:200903081881615610

表面硬化処理法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大川 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-045188
公開番号(公開出願番号):特開2000-239746
出願日: 1999年02月23日
公開日(公表日): 2000年09月05日
要約:
【要約】【課題】 溶融プールの形状に影響されず、カム表面に幅方向に均等な深さと幅をもつチル層を形成する。【解決手段】 トーチは、回転軸をもつカム部材2の周表面3に対し所定の入射角及び接近距離で熱ビームを発し、工作物周表面3上をその幅方向に往復移動しつつ周方向φAに進行して工作物周表面3上を蛇行軌跡を描いて再溶融する。この往復移動の両端位置で該往復移動を停止する保持時間を設定することにより、蛇行軌跡の頂点で工作物周表面3の周方向に沿った直線部36が形成され、工作物周表面の幅方向に均等な入熱を行う。
請求項(抜粋):
回転軸をもつ工作物の周表面に対し所定の入射角及び接近距離で熱ビームを発するトーチを該周表面の周方向に相対移動しかつ回転軸方向と平行な方向に相対往復移動することにより該周表面をその幅方向に蛇行して再溶融し、自己冷却後の再溶融部分をチル組織部とする表面硬化処理法において、前記トーチが相対往復移動の端位置に相対移動したとき回転軸と平行な方向の相対往復移動を定時間停止する保持時間を設定したことを特徴とする表面硬化処理法。
IPC (2件):
C21D 9/30 ,  C21D 1/09
FI (2件):
C21D 9/30 A ,  C21D 1/09 F
Fターム (8件):
4K042AA17 ,  4K042BA03 ,  4K042DA07 ,  4K042DB03 ,  4K042DB04 ,  4K042DB05 ,  4K042DF02 ,  4K042EA03

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