特許
J-GLOBAL ID：200903081884055160
磁界印加式単結晶製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-160123
公開番号（公開出願番号）：特開平10-007486
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：
【要約】【課題】 水平方向に磁界を与える方式の磁界印加式単結晶製造装置において、ルツボに生じる磁界強度の均一度を改善することを目的とする。【解決手段】 単結晶原料融液1が充填されたルツボ2の両側に設けられた一対の主コイル21aおよびこれらの主コイル21aより直径が小さく同軸で励磁方向が逆の一対の副コイル21bにより、より均一度の高い磁界を供給する。
請求項（抜粋）：
ルツボに充填された単結晶原料融液に種結晶を挿入し、この結晶を引き上げることにより単結晶を生成する単結晶引上部と、上記単結晶原料融液部に水平方向の磁界を与えるための磁界発生部と、を備え、上記磁界発生部が、上記結晶引上部の両側に設けられた一対の主コイル、およびこれらの主コイルより直径が小さく同軸で励磁方向が逆の一対の副コイルを含むことを特徴とする磁界印加式単結晶製造装置。
IPC (4件)：
C30B 15/00
, C30B 29/06 502
, C30B 33/04
, H01L 21/208
C30B 15/00 Z
, C30B 29/06 502 G
, C30B 33/04
, H01L 21/208 P
