特許

J-GLOBAL ID：200903081884901176

磁気抵抗効果型ヘッド

発明者： 府山 盛明 ,  鈴木 良夫 ,  渋川 佳弘 ,  小室 又洋 ,  星屋 裕之 ,  渡辺 克郎 ,  田所 茂 ,  平賀 良
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-051303
公開番号（公開出願番号）：特開平9-245318
出願日： 1996年03月08日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】永久磁石膜からの漏洩磁界および交換結合によりバルクハウゼンノイズを抑制し、高再生出力の磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。【解決手段】永久磁石膜と反強磁性膜による縦バイアス磁界と軟磁性による横バイアス磁界を印加した磁気抵抗効果素子を有する磁気抵抗効果型ヘッド。

請求項（抜粋）：

磁界によって電気抵抗が変化する磁気抵抗効果膜,磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界を印加する横バイアス膜及び前記磁気抵抗効果膜と横バイアス膜との間に設けられた分離膜を有する磁気抵抗効果素子膜からなり、該磁気抵抗効果素子膜の両端部に接して設けられた前記磁気抵抗効果膜に縦バイアスを印加する一対の永久磁石膜及び前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流す前記永久磁石膜上に設けられた一対の電極膜を有し、該永久磁石膜の厚さは前記磁気抵抗効果素子膜の厚さより小さいことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。