特許
J-GLOBAL ID：200903081891123855
コンタクト部形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-121802
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315284
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【構成】 シリコン基板1上に形成されたコンタクトホールに密着層としてTi/TiN層6を形成する。次に、シランの流量を50SCCM、六フッ化タングステンの流量を5SCCMとし、基板温度を425〜450°Cとして、シラン還元を行い、シリコンリッチのタングステン層7を形成する。その後、水素と六フッ化タングステンとを用いた水素還元により、コンタクトホールにタングステン層8を形し、エッチバックした後、配線9を形成する。【効果】 低コンタクト抵抗で且つ低リーク電流のコンタクト特性を有するコンタクト部を得ることができる。
請求項（抜粋）：
コンタクトホールに密着層としてTi/TiN層を形成した後に、反応ガスとして、シランと六フッ化タングステンとを用いてCVD法により、シリコンリッチのタングステン層を形成した後、ブランケットCVD法によりタングステンを前記コンタクトホールに埋設する工程を有することを特徴とするコンタクト部形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/90
, H01L 29/46
