特許
J-GLOBAL ID：200903081892170431
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039775
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232686
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 II-VI族化合物半導体よりなる半導体発光素子に関し、長期の信頼性に優れた半導体レーザ素子及び発光ダイオードを提供する。【解決手段】 第1導電型の半導体基板上に、II-VI族化合物半導体よりなる、第1導電型のクラッド層、活性層、第2導電型のクラッド層、第2導電型のコンタクト層とが、順次積層され、少なくとも前記活性層を含む半導体層に、N,Clのうち少なくとも1種類以上の元素を不純物として含む。これにより、転位や結晶欠陥の急速な伝播を抑え、特性の劣化がない長期の信頼性に優れた半導体レーザ素子及び発光ダイオードを得る。
請求項（抜粋）：
基板上に、II-VI族化合物半導体を用い、少なくともクラッド層、活性層、およびクラッド層の積層構造を備えてなる半導体発光素子であって、少なくとも前記活性層に、転位や結晶欠陥の急速な伝搬を抑える少なくとも1種類の不純物元素を導入してなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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