特許

J-GLOBAL ID：200903081898750170

記憶装置の初期化方法

発明者： 椎本 恒則 ,  荒谷 勝久 ,  対馬 朋人 ,  大塚 渉
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-182364
公開番号（公開出願番号）：特開2007-004873
出願日： 2005年06月22日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：

【課題】 初期化後のデータの書き込みや消去を高速で行うことを可能にする、記憶装置の初期化方法を提供する。【解決手段】 2つの電極の間に、異なる極性の電圧を印加することにより、抵抗値が高抵抗状態と低抵抗状態との間を可逆的に変化する可変抵抗素子を備え、この可変抵抗素子から成るメモリセルを複数有する記憶装置に対して、メモリセルに初めて情報を記録する前に、可変抵抗素子に、振幅と時間との積が大きい電圧パルスから、徐々に振幅と時間との積が小さくなるようにして、異なる極性の電圧パルスを交互に印加することにより、初期化を行う。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

2つの電極の間に、異なる極性の電圧を印加することにより、抵抗値が高抵抗状態と低抵抗状態との間を可逆的に変化する可変抵抗素子を備え、 前記可変抵抗素子から成るメモリセルを複数有する記憶装置に対して、 前記メモリセルに初めて情報を記録する前に、初期化を行う方法であって、 前記可変抵抗素子に、振幅と時間との積が大きい電圧パルスから、徐々に振幅と時間との積が小さくなるようにして、前記異なる極性の電圧パルスを交互に印加する ことを特徴とする記憶装置の初期化方法。

IPC (2件)：

G11C 13/00 ,  H01L 27/10

FI (2件)：

G11C13/00 A ,  H01L27/10 451

Fターム (4件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA60