特許

J-GLOBAL ID：200903081899637688

超高純度シリコンの放電加工方法

発明者： 東條 哲也 ,  三島 昭史
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-034629
公開番号（公開出願番号）：特開平8-206922
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1996年08月13日
要約：

【要約】【目的】 純度:99.99999%以上の超高純度シリコンを放電加工する方法を提供する。【構成】 超高純度シリコンを温度:250〜450°Cに加熱して比抵抗が4Ω・cm以下の導電性を付与したのち放電加工することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

超高純度シリコンを加熱して導電性を付与したのち放電加工することを特徴とする超高純度シリコンの放電加工方法。