特許
J-GLOBAL ID：200903081900084116
薄膜コンデンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-098179
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283077
出願日： 1994年04月11日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】薄膜コンデンサの下部電極層の材質を最適化することによって、絶縁基板上に形成された薄膜コンデンサの耐熱性を向上する。【構成】絶縁基板1上に形成された下部電極層2と、この下部電極層上に形成された薄膜誘電体層3と、この薄膜誘電体層上に形成された上部電極層4とからなる薄膜コンデンサにおいて、下部電極層のうち、少なくとも該薄膜誘電体層と接する面をなす下部電極表面層が、623K以上の再結晶温度を有する金属、1780K以上の融点を有する金属、又は所定のNi含有率を有するNi-Fe合金からなる薄膜コンデンサ。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成された下部電極層と、該下部電極層上に形成された薄膜誘電体層と、該薄膜誘電体層上に形成された上部電極層とからなる薄膜コンデンサにおいて、該下部電極層のうち、少なくとも該薄膜誘電体層と接する面をなす下部電極表面層が、623K以上の再結晶温度を有する金属からなることを特徴とする薄膜コンデンサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01G 4/06 102
, H01G 1/01
