特許

J-GLOBAL ID：200903081905642710

半導体にp、p+およびn、n+領域を形成するためのドーパント・ペースト

発明者： キューベルベク、アーミーン ,  ツィエリンスキー、クラウディア ,  ハイデル、リリア ,  シュトッカム、ヴェルナー
出願人/特許権者： メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-604469
公開番号（公開出願番号）：特表2002-539615
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2002年11月19日
要約：

【要約】本発明は、単結晶および多結晶Siウェーハにp、p+およびn、n+ゾーンを形成するための、ホウ素、リンまたはホウ素-アルミニウムに基づく新しいドーピング・ペーストに関する。本発明はさらに、対応するペーストの、半導体製造、パワー・エレクトロニクスまたは光起電力応用におけるマスキング・ペーストとしての使用に関する。

請求項（抜粋）：

スクリーン、ローラ、パッド、ステンシル印刷、または半導体技術において通常のその他の印刷技法によりSiウェーハを選択的および広範囲に印刷して、Siウェーハにp、p+、p++、n、n+、n++領域を形成するためのドーパント・ペーストであって、 a)ドーパント作用を有する1種または数種の成分 b)SiO2マトリックス c)溶剤 d)任意選択で酸および水 さらに、任意選択で、 e)増粘剤、湿潤剤などの添加剤 を含み、全体組成物が、金属イオンの形態の不純物を500ppb未満、好ましくは200ppb未満の濃度で含む、ドーパント・ペースト。

IPC (2件)：

H01L 21/225 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 21/225 R ,  H01L 31/04 A

Fターム (5件)：

5F051AA03 ,  5F051CB13 ,  5F051CB18 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30

引用特許：

審査官引用 (10件)

• 半導体用塗布拡散剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-091008   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-085821
  
• 特開平3-119722
  
• 半導体用塗布拡散剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-091009   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-011624
  
• 特開平1-199678
  
• 特開平4-085821
  
• 特開平3-119722
  
• 特開平3-011624
  
• 特開平1-199678