多層膜のドライエッチング方法及び装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-047675
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260413
出願日： 1993年03月09日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】UV処理の耐熱効果を低減させることなくホトレジストをマスクとした多層膜のドライエッチング、及び、反応生成物の堆積をなくすことによる多層膜の加工精度向上,エッチングレートの向上,スループット向上,装置の製造コスト低減を提供するところにある。【構成】ドライエッチング装置9の前室にレジスト中に含まれる水分を除去するための真空加熱機構、及び、レジストを高分子化するUV処理機構を有するUV処理装置10を付随、もしくは、ドライエッチング装置の前室である真空搬送待機室内に前記UV処理機構を有し、大気中に開放されることなくドライエッチング処理を行うことができる構造。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタ及び、画素容量で構成されるアクティブマトリクス方式の液晶ディスプレイにおいて、それを構成する材料である金属膜,透明導電膜,半導体膜,絶縁膜のうち少なくとも二層以上の多層膜をホトレジストをマスクとしてパターン加工するドライエッチング方法において、ホトレジスト中の水分を除去する工程,レジストを高分子化する工程、及び、大気中に開放されることなく多層膜をドライエッチングする工程を経ることを特徴とする多層膜のドライエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G02F 1/1343 , H01L 21/302 , H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 21/30 361 N , H01L 21/30 361 Q , H01L 29/78 311 F

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