半導体ファイル記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-138008
公開番号（公開出願番号）：特開平9-319666
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】半導体メモリを使用したファイル記憶装置で、書き込み中に電源断などの障害が発生すると書き込みデータ及び書き込み元の既存データが消失する。【解決手段】半導体メモリ素子の書き替え時に、CPUからファイル記憶装置に対して仮想的な位置を示す第一のアドレスに対応した半導体メモリチップの実際の物理的な位置を示す第二のアドレスに対して直接書き替えるのではなく、第一のアドレスに対応していない書き込み用予備領域の第二のアドレスに書き込み、書き込み終了後第一のアドレスに対応する第二のアドレスを交換する。

請求項（抜粋）：

プロセッサと、主記憶装置と、電気的に書き替え可能かつ不揮発性を有するランダムアクセス可能な半導体メモリ素子を複数個用いて構成した記憶装置を備えてなる半導体ファイル記憶装置において、前記プロセッサから前記ファイル記憶装置をアクセスするための第1のアドレスを入力し、前記第1のアドレスに対応して前記ファイル記憶装置を構成する前記半導体メモリ素子の物理的な位置を示す第2のアドレスに変換するアドレス変換手段と、前記ファイル記憶装置を制御する制御プロセッサと、前記第1のアドレスに対応した第2のアドレス領域以外に書き込み用予備領域として、一つ以上の所定の容量を有する記憶領域を備え、前記プロセッサから前記ファイル記憶装置に対して書き込み要求が発生すると、前記制御プロセッサは、書き込みデータを前記書き込み用予備領域に書き込み、書き込み要求のあった前記第1のアドレスに対応した前記第2のアドレスを書き込み用予備領域に、前記書き込みデータを書き込みした書き込み用予備領域の前記第2のアドレスを、書き込み要求のあった前記第1のアドレスに対応する前記第2のアドレスにすることを特徴とする半導体ファイル記憶装置。

IPC (2件)：

G06F 12/16 310 , G06F 12/02 570

FI (2件)：

G06F 12/16 310 P , G06F 12/02 570 A

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