特許

J-GLOBAL ID：200903081915893495

半導体露光装置およびデバイス製造方法

発明者： 時田 俊伸 ,  田中 裕
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 阪本 善朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-283694
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228355
出願日： 1999年10月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 マスクメンブレンを変形や破損させることなくギャップ調整を行なうことができ、露光転写精度やアライメント計測精度を向上させ、さらに、基板ステージの駆動経路を最適化し、スループットの向上を図る。【解決手段】 マスクメンブレン上にパターンを有するマスクにウエハを接近させて露光を行なう半導体露光装置において、マスクとウエハ間のギャップを変化させるギャップ調整に際し、必要とするギャップ調整量を計算するとともに、現在のマスクメンブレンとウエハが対向している状態を算出して、その対向する面積が所定値(例、マスクメンブレンの面積の1/2)以上か否か判別し、所定値以上である場合には、対向する面積が所定値以下となるギャップ調整位置を計算し、その位置へウエハを移動させた後に、ギャップ調整手段によって目標のギャップへ調整し、その後、ウエハを目標とするショット位置へ移動させる。

請求項（抜粋）：

パターンをマスクメンブレン上に有するマスクと基板とのギャップを測定するギャップ測定手段と、ギャップを調整する調整手段と、一枚の基板の複数の部分にステップ移動するための駆動手段とを備え、マスクパターンを微小間隔で基板に露光転写する半導体露光装置において、マスクと基板間のギャップを変化させるギャップ調整を行なうとき、マスクメンブレンと基板が所定の面積より小さい面積で対向している位置において、前記ギャップ測定手段の計測結果に基づき、前記ギャップ調整手段によって前記ギャップを調整することを特徴とする半導体露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 511 ,  G03F 7/20 521