特許
J-GLOBAL ID：200903081919511260
配線パターンの構造および配線パターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-249164
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090209
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】樹脂2上に配線パターンの形成を行ない、安価で、微細なピッチの配線が可能な配線パターンを提供する。【構成】樹脂2中に金属粒子3を含有させ、これを覆うように樹脂4を形成し、配線を行ないたいところのみ樹脂4を除去する。これを無電解メッキ浴に浸漬し、金属粒子3を核として成長した金属膜5により、配線パターンを形成する。【効果】半導体素子等の電極と容易に接続が可能となる。また、樹脂層が形成できるものであれば、凹凸や曲面を有する表面上にも配線パターンを形成でき、さらに金属粒子が樹脂中にアンカー効果を発揮し、金属膜と樹脂との密着力を増し、柔軟性を有し折り曲げて使用するような基板上にも密着性のよい配線パターンを形成することが可能となる。
請求項（抜粋）：
電気信号の伝達を目的とし、基板あるいは半導体素子上に形成する配線パターンにおいて、前記基板あるいは前記半導体素子上に、金属粒子を含む樹脂の層と、前記金属粒子を含む樹脂上に金属粒子を含まない樹脂の層とを形成し、すくなくとも前記金属粒子を含む樹脂上の、前記金属粒子を含まない樹脂により被覆されていない部位に金属膜を形成したことを特徴とする配線パターンの構造。
IPC (2件)：
H01L 21/288
, H01L 21/3205
