変換基板及び半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田辺恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-251696
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097571
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】半導体チツプの電極間隔の狭ピツチ化に実用上十分に対応し得る変換基板及び半導体装置を実現し難かつた。【解決手段】変換基板の絶縁基板を半導体チツプの各電極を形成する際に利用する加工技術と同じ加工技術を用いて一面側に当該半導体チツプの各電極と同じ位置関係で複数の第1の電極を形成することができる絶縁材を用いて形成するようにした。また当該変換基板の一面側に半導体チツプを実装してなる半導体装置において、当該絶縁基板を半導体チツプの各電極を形成する際に利用する加工技術と同じ加工技術を用いて一面側に半導体チツプの各電極と同じ位置関係で複数の第1の電極を形成することができる絶縁材を用いて形成するようにした。

請求項（抜粋）：

一面側に複数の電極が形成された半導体チツプの上記電極を再配列する変換基板において、絶縁材からなる絶縁基板と、上記絶縁基板の一面側に上記半導体チツプの各上記電極と同じ位置関係で形成された複数の第1の電極と、上記絶縁基板の上記一面側又は他面側に、各上記第1の電極にそれぞれ対応させて形成された複数の第2の電極と、対応する各上記第1の電極及び第2の電極同士を導通接続する導通接続手段とを具え、上記絶縁基板は、上記半導体チツプの各上記電極を形成する際に利用する加工技術と同じ加工技術を用いて各上記第1の電極を形成することができる上記絶縁材を用いて形成されたことを特徴とする変換基板。

IPC (3件)：

H01L 23/12 , H01L 21/60 311 , H05K 1/18

FI (3件)：

H01L 23/12 Q , H01L 21/60 311 S , H05K 1/18 U

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-285434
特開平4-370958
特開昭61-265827

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