特許

J-GLOBAL ID：200903081925007370

光ビーム検出装置

発明者： 岡村 正通 ,  鈴木 哲
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253059
公開番号（公開出願番号）：特開平7-110261
出願日： 1993年10月08日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】 低コストな光ビーム検出装置を提供する。【構成】 リンドープのn型アモルファスシリコン29からなる第1層と、高抵抗半導体薄膜30からなる第2層と、リンドープのn型アモルファスシリコンからなる第3層と、ノンドープのi型アモルファスシリコンからなる第4層と、ボロンドープのp型アモルファスシリコンからなる第5層とを順に配しかつ前記第1層および第5層の表面に電極28,37を配した構造を有し、前記第2層の高抵抗半導体薄膜30が、アモルファスシリコン、アモルファスゲルマニウム、またはアモルファスシリコンにゲルマニウム、炭素および窒素から選ばれた少なくとも1つを混合した半導体の何れかである受光素子を1次元または2次元アレイ状に配置し、各々の受光素子にスイッチング素子を設置してマトリクス駆動する。

請求項（抜粋）：

受光素子を1次元または2次元アレイ状に配置し、各々の受光素子にスイッチング素子を設置してマトリクス駆動する光ビーム検出装置であって、前記受光素子として、第1の導電型の半導体薄膜からなる第1層と、高抵抗半導体薄膜からなる第2層と、第1の導電型の半導体薄膜からなる第3層と、不純物をドープしてないi型半導体薄膜からなる第4層と、第2の導電型の半導体薄膜からなる第5層とを順に配しかつ前記第1層および第5層の表面に電極を配した構造を有し、前記第2層の高抵抗半導体薄膜が、アモルファスシリコン、アモルファスゲルマニウム、またはアモルファスシリコンにゲルマニウム、炭素および窒素から選ばれた少なくとも1つを混合した半導体の何れかである受光素子を用いたことを特徴とする光ビーム検出装置。