特許

J-GLOBAL ID：200903081927763996

易焼結性正方晶ジルコニア粉末およびその製造方法

発明者： 北沢 直樹 ,  吉田 文男 ,  荒木 文英 ,  佐飛 峯雄
出願人/特許権者： 第一工業製薬株式会社
代理人 (5件)： 朝日奈 宗太 ,  佐木 啓二 ,  秋山 文男 ,  田中 弘 ,  箕浦 繁夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-065239
公開番号（公開出願番号）：特開2004-269331
出願日： 2003年03月11日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】低温焼結性を有し、得られる焼結体が曲げ強さ、靭性、耐蝕性に優れたジルコニア粉末を提供する。【解決手段】結晶子径が20nm以下、比表面積が6〜20m2/g、平均二次粒子径が0.1〜0.8μmである正方晶ジルコニア粉末。正方晶ジルコニアを単斜晶率が50%以上になるまで湿式粉砕または乾式粉砕し、500〜1000°Cで二次仮焼することにより単斜晶を正方晶に変態させることを特徴とする正方晶ジルコニア粉末の製造方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

結晶子径が20nm以下、比表面積が6〜20m2/g、および平均二次粒子径が0.1〜0.8μmである正方晶ジルコニア粉末。

IPC (3件)：

C01G25/02 ,  C01G25/00 ,  C04B35/48

FI (3件)：

C01G25/02 ,  C01G25/00 ,  C04B35/48 C

Fターム (20件)：

4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA12 ,  4G031AA29 ,  4G031BA20 ,  4G031BA26 ,  4G031CA01 ,  4G031CA04 ,  4G031GA01 ,  4G031GA04 ,  4G031GA11 ,  4G048AA02 ,  4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AB02 ,  4G048AC08 ,  4G048AD03 ,  4G048AD06 ,  4G048AD10 ,  4G048AE05

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開昭61-141619
  
• 特開平3-126622
  
• 特開平3-170332
  
• 特開平4-357115
  
• Ni/YSZサーメット原料粉末の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-065147   出願人：東陶機器株式会社
• ジルコニア微粉末及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-279934   出願人：東ソー株式会社
• 酸化ジルコニウム粉末およびそれからなる顆粒
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-054053   出願人：東レ株式会社
• ジルコニア粉末およびその焼結体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-267902   出願人：東レ株式会社