特許

J-GLOBAL ID：200903081935061321

半導体装置の製造方法

発明者： 金谷 宏行 ,  杉山 直治 ,  今井 聖支
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-144950
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339996
出願日： 1995年06月12日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 弗酸水溶液処理を用いたSi表面の水素終端化法を行いながら、Si開口部表面上に生じるSi-O系の微小異物を低減することができ、デバイスの電気的特性,信頼性,歩留まりの向上等に寄与する。【構成】 絶縁酸化膜パターンを有する半導体基板上に半導体膜を成長してデバイスを作成する半導体装置の製造方法において、n-Si基板11上に形成されたSiO2 膜12に酸素をイオン注入して表面をSiO2.3 膜12aに改質した後、絶縁膜12,12aを所望パターンにパターニングし、次いで絶縁膜12,12aの開口部に露出したSi面上の自然酸化膜14を除去するために弗酸水溶液で前処理し、次いで絶縁膜12,12aの開口部に露出したSi面上にp+ -Si膜15を選択エピタキシャル成長する。

請求項（抜粋）：

Si基板上に形成された絶縁膜を所望パターンにパターニングする工程と、前記絶縁膜の開口部に露出したSi面上の自然酸化膜を除去するために弗酸系溶液で前処理する工程と、前記絶縁膜の開口部に露出したSi面上に半導体又は導電体を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記弗酸系溶液による前処理に際し、前記絶縁膜のエッチング速度よりも前記開口部Si面上の自然酸化膜のエッチング速度が速くなる条件に設定したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/90 C