特許

J-GLOBAL ID：200903081936629909

固体撮像装置およびその製造方法

発明者： 栗山 俊寛
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-235827
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012823
出願日： 1998年08月21日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 受光部における結晶欠陥が低減された、出力画面の画質の良好なMOS型固体撮像装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 第1導電型の半導体基板10内に形成された第2導電型の受光部13および第2導電型の検出部14aと、受光部13と検出部14aとの間の半導体基板10上に絶縁膜11aを介して形成された転送ゲート電極12と、検出部13と電気的に接続した読み出し回路とを含む画素が複数配置され、検出部14aの転送ゲート電極12側の端部に接し且つ受光部13と離間した半導体基板10内の領域に検出部13と同導電型の不純物拡散領域14bが形成されており、受光部13および不純物拡散領域14bの不純物濃度が検出部14aの不純物濃度よりも低い固体撮像装置とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板内に形成された第2導電型の受光部および第2導電型の第1の拡散領域と、前記受光部と前記第1の拡散領域との間の前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記受光部または前記第1の拡散領域と電気的に接続した読み出し回路とを含む画素が複数配置された固体撮像装置であって、前記第1の拡散領域の前記ゲート電極側の端部に接し且つ前記受光部と離間した前記半導体基板内の領域に第2導電型の第2の拡散領域が形成されており、前記受光部および前記第2の拡散領域の不純物濃度が、前記第1の拡散領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E

Fターム (21件)：

4M118AA05 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA18 ,  4M118DA20 ,  4M118DD04 ,  4M118DD06 ,  4M118DD12 ,  4M118EA06 ,  4M118EA07 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  5C024AA01 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024GA31