特許
J-GLOBAL ID：200903081937101258
半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-215053
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061157
出願日： 1992年08月12日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【構成】 基板に薄膜を形成するプラズマCVD装置の反応室内に備えられたカソード電極の内部空間を前後に区画する中間板6の周縁部には、その中央部に穿設された中央部側連通孔6a...よりも短い間隔で、周縁部側連通孔6b...が穿設されている。【効果】 カソード電極のガス導入口からの距離に関わらず、中間板6の各連通孔6a...・6b...を出るまでの反応性ガスの抵抗を略均一にすることができるので、カソード板の全面にわたり、ほぼ均等な流量で基板に向かって反応性ガスを噴出することができ、大型サイズの基板に対しても均一な膜厚分布で薄膜を形成することができる。
請求項（抜粋）：
反応室内に、基板が載置される第1電極とこの第1電極に対向する第2電極とが配設され、上記第2電極は、第1電極に対面すると共に複数のガス噴出孔が穿設された前壁と、第2電極内に反応性ガスを導入するガス導入口を有すると共に前壁を背後から覆う後壁と、上記前壁と後壁とにより形成される内部空間を前後に区画する中間板とからなり、この中間板には、上記ガス導入口からの距離に応じて分割された中間板の各領域ごとに、上記の反応性ガスが通過する連通孔が、それぞれ異なる密度で穿設されていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/203
