半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-184992
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045587
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】アルミニウム配線上の絶縁膜のドライエッチング工程でアルミニウム弗化物や、テフロン系の堆積物の発生を防ぎ、コンタクト不良を低減する。【構成】シリコン基板1のアルミニウム配線3上に被着したシリコン酸化膜4を弗素系ガスでドライエッチングした後、酸素を用いたプラズマを照射しテフロン系堆積物6を除去する。次にシリコン基板1を加熱しながら、臭素系ガスまたは塩素系ガスでオーバーエッチングすることにより、アルミニウム弗化物が堆積物として生成する事を防ぐ。最後に窒素を用いたプラズマを照射し、アルミニウムの腐食の原因となる臭素原子、塩素原子の残留を除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板のアルミニウム配線上に被着した絶縁膜上にホトレジストをパターニングする工程と、前記絶縁膜をドライエッチングによってパターン形成する工程と、前記絶縁膜を臭素系または塩素系ガスのプラズマにより、オーバーエッチングする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/3213 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/302 G , H01L 21/302 F , H01L 21/88 D , H01L 21/90 A

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