特許
J-GLOBAL ID:200903081937770770
半導体超微粒子
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (7件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-379878
公開番号(公開出願番号):特開2005-139389
出願日: 2003年11月10日
公開日(公表日): 2005年06月02日
要約:
【課題】 表面欠陥による量子効率低下の問題のなく、耐水性、耐候性などの耐環境性に優れると共に紫外線などのエネルギー照射でも特性が劣化しない半導体超微粒子の提供。【解決手段】 表面に有機成分が保持され、さらにその上に酸化物からなる被覆層が形成されている半導体超微粒子。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
表面に有機成分が保持され、さらにその上に酸化物からなる被覆層が形成されている半導体超微粒子。
IPC (4件):
C09K11/08
, C09K11/54
, C09K11/56
, C09K11/88
FI (4件):
C09K11/08 G
, C09K11/54
, C09K11/56
, C09K11/88
Fターム (11件):
4H001CA02
, 4H001CC04
, 4H001CC05
, 4H001CC06
, 4H001CC13
, 4H001XA08
, 4H001XA16
, 4H001XA30
, 4H001XA34
, 4H001XA48
, 4H001XA52
引用特許:
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