ドライエッチング装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-266679
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115880
出願日： 1995年10月16日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】プラズマを利用したドライエッチング装置のウエハ表面上での表面処理反応の面上の不均一性を削減するための、面上の表面処理反応を制御可能な手段を提供する。【解決手段】ドライエッチング装置で、ガス供給手段10とガス供給手段11に炭素とハロゲン元素をふくむ分子で構成された異なるエッチング性能を有するガスを導入し、ホルダ3上にあるウエハ4面上のエッチング反応をガス種の混合比で調節で制御し、均一ガス吹き出し法で生じる可能性があるウエハ4の表面上のエッチング反応の不均一性を是正する。

請求項（抜粋）：

電磁波と表面処理用のガスによりプラズマを発生するプラズマ発生装置と、前記ガスが導入されるプラズマ発生室と、表面処理が行われるウエハを支えるホルダと、前記プラズマ発生室内に前記ガスを導入するガス導入手段を複数種類備え、前記電磁波により生成したプラズマを利用するドライエッチング装置において、炭素とハロゲン元素をふくむ分子で構成された表面処理能力が異なるガスを異なる部位から導入することを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A , C23F 4/00 E , H05H 1/46 A

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