特許
J-GLOBAL ID：200903081941195348
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279540
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121655
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【構成】半導体装置の高容量値の容量部の製造方法として、容量部の下部電極3形成後、シリコン基板1をアンモニア雰囲気中で急速加熱処理しシリコン窒化膜11を形成する。次でTa2 O5 からなる容量絶縁膜を形成する。【効果】容量絶縁膜の金属酸化膜を形成する前に半導体基板を急速加熱処理することで,水洗や大気中の放置等で下部電極表面に吸着した水分を脱離させ、金属酸化膜の形成時に水分による下部電極表面の酸化を防止できるため、高い容量値の容量部が製造できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に下部電極を形成したのち急速加熱装置により熱処理する工程と、熱処理後前記下部電極上に金属酸化膜からなる容量絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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