特許
J-GLOBAL ID:200903081946575220

半導体スイッチの順電圧降下測定装置及び半導体スイッチの選別装置並びに半導体スイッチの劣化検出装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 猪股 祥晃 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-033654
公開番号(公開出願番号):特開2000-230961
出願日: 1999年02月12日
公開日(公表日): 2000年08月22日
要約:
【要約】【課題】順電圧降下を高精度に測定することができる半導体スイッチの順電圧降下測定装置を得ること。【解決手段】電流変成器9,ダイオード5及び抵抗器6と直流電源7の直列回路を特性測定用の半導体スイッチ1に並列に接続する。このうち、ダイオード5と抵抗器6の共通端子と、直流電源7の負極側の間に対して、電圧プローブの入力側を接続する。電流変成器9の二次側と電圧プローブ3の出力側には、オシロスコープ4を接続し、このオシロスコープ4の出力側には、演算装置8の入力端子に接続する。抵抗器6と直流電源7の合成電圧とダイオード5の順電圧降下の差から、半導体スイッチ1の順電圧降下を算出する。
請求項(抜粋):
ダイオード及び抵抗素子と直流電源の直列回路と、前記抵抗素子と直流電源の合成電圧を測定する手段と、前記ダイオードの順電圧降下を算出する手段とを備え、前記ダイオード及び抵抗素子と直流電源の直列回路を被測定半導体スイッチに並列に接続し、前記抵抗素子と直流電源の合成電圧と前記ダイオードの順電圧降下の差から被測定半導体スイッチの順電圧降下を算出する半導体スイッチの順電圧降下測定装置。
IPC (3件):
G01R 31/26 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2件):
G01R 31/26 D ,  H01L 27/04 T
Fターム (13件):
2G003AA04 ,  2G003AB01 ,  2G003AB03 ,  2G003AE01 ,  2G003AE06 ,  2G003AF05 ,  2G003AF06 ,  2G003AG03 ,  2G003AH05 ,  2G003AH10 ,  5F038BE09 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ20

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