特許
J-GLOBAL ID：200903081946651686
距離画像センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-309571
公開番号（公開出願番号）：特開2008-122342
出願日： 2006年11月15日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】対象物に光を照射してから反射光を受光するまでの飛行時間を精度よく検出することができる距離画像センサを提供する。【解決手段】距離画像センサ8は、半導体基板11及び第1半導体領域13の間に印加される第1逆バイアス電圧がHバイアスのとき、隣接する第1半導体領域13のpn接合から拡がる第1空乏層A1,A1は拡がると共に、第2半導体領域14のpn接合から拡がる第2空乏層B1を覆うように互いに繋がる。これにより、半導体基板11において裏面11a近傍で発生したキャリアCを第1空乏層A1にて確実に捕捉する。また、半導体基板11及び第2半導体領域14の間に印加される第2逆バイアス電圧がHバイアスのとき、隣接する第2空乏層は、拡がると共に第1空乏層を覆うように互いに繋がる。これにより、半導体基板において裏面近傍で発生したキャリアを第2空乏層にて確実に捕捉する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
裏面から光が入射される第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の表面側に1次元又は2次元に配列され、前記半導体基板との間でpn接合を形成する複数の第2導電型の第1半導体領域と、
前記半導体基板の前記表面側に1次元又は2次元に配列されると共に前記第1半導体領域に隣接し、前記半導体基板との間でpn接合を形成する複数の第2導電型の第2半導体領域と、を備え、
前記半導体基板及び前記第1半導体領域には、これらの間に第1逆バイアス電圧を印加するための第1電極及び第2電極が電気的にそれぞれ接続し、
前記前記第2半導体領域には、前記半導体基板に電気的に接続された前記第1電極との間に前記第1逆バイアス電圧に対して所定の位相差を有する第2逆バイアス電圧を印加するための第3電極が電気的に接続し、
印加される前記第1逆バイアス電圧が所定のバイアス電圧値に達したとき、前記第2半導体領域を介して隣接する前記第1半導体領域のpn接合から拡がる第1空乏層は、互いに繋がるように設定されており、
印加される第2逆バイアス電圧が前記所定のバイアス電圧値に達したとき、前記第1半導体領域を介して隣接する前記第2半導体領域のpn接合から拡がる第2空乏層は、互いに繋がるように設定されていることを特徴とする距離画像センサ。
IPC (4件)：
G01S 17/10
, G01C 3/06
, G01S 17/89
, H01L 27/146
G01S17/10
, G01C3/06 140
, G01C3/06 120Q
, G01S17/89
, H01L27/14 A
2F112AD01
, 2F112BA07
, 2F112CA12
, 2F112GA10
, 4M118AB03
, 4M118AB10
, 4M118BA06
, 4M118CA03
, 4M118GA02
, 4M118GD03
, 5J084AA05
, 5J084AD01
, 5J084BA40
, 5J084CA67
, 5J084EA01
