特許
J-GLOBAL ID：200903081954308362
セラミツク基板とその製造方法並びにこの基板を用いたセラミツク配線板
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-285275
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129458
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 セラミック基板の構造と製造方法、並びにこれを使用するセラミック配線板の構造に関し、平坦且つ平滑な表面を有するセラミック基板、及びこのセラミック基板を使用して、薄膜導体パターンに脱粒穴やボイドに起因する欠陥や変色がなく、且つTAB方式のアウタリード・ボンディングが可能なセラミック配線板を提供することを目的とする。【構成】 [1] セラミック基板は、焼成基板1の表面を平面研磨して平坦化した後、この表面上にグレーズ層2を形成し、この表面を仕上げ研磨で平滑化してグレーズ層2Aとすることにより製造する。[2] セラミック配線板は、前記セラミック基板の前記グレーズ層2Aの表面に薄膜導体パターン4を有している。
請求項（抜粋）：
平面研磨により平坦化された表面を有する焼成基板(1A)と該焼成基板(1A)の平坦化された表面上に形成されたガラスのグレーズ層(2A)とを有し、該グレーズ層(2A)の表面は仕上げ研磨加工が施されていることを特徴とするセラミック基板。
IPC (4件)：
H01L 23/12
, H01L 21/60 311
, H05K 1/02
, H05K 1/03
