特許
J-GLOBAL ID：200903081955166952
ショットキー接合形FET
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 幸男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-207350
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040576
出願日： 1997年07月16日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 耐圧性に優れ、しかも製造が比較的容易なショットキー接合形FETを提供する。【解決手段】 半導体基板11上に形成されたチャンネル層14と、該チャンネル層上に相互に間隔を置いて形成されたソース電極16およびドレイン電極17と、該ソース電極およびドレイン電極間でチャンネル層14にショットキー接合するゲート電極15とを含むショットキー接合形FET10。チャンネル層14と半導体基板11との間に、チャンネル層14と共同して、ドレイン電極17と基板11との間の漏れ電流に対して逆方向接続となるpn接合を構成するための接合層13を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたチャンネル層と、該チャンネル層上に相互に間隔を置いて形成された一対の電極と、該両電極間で前記チャンネル層にショットキー接合するゲート電極とを含み、前記チャンネル層と前記半導体基板との間には、前記チャンネル層と共同して、前記一対の電極のうちの一方の電極と前記半導体基板との間の漏れ電流に対して逆方向接続となるpn接合を構成するための接合層が形成されていることを特徴とするショットキー接合形FET。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
