特許
J-GLOBAL ID：200903081956115367
ヴィアコンタクト用ホール形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-250066
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088277
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 ヴィアコンタクトのホール形成時、ホール周囲の再スパッタ物からなるクラウンを完全に除去する。【構成】 エッチングによりアルミニウム2上にヴィアコンタクト用ホールを形成するにあたり、エッチングガスとして解離度の高い非堆積性の硫化フッ素ガスを使用する。これにより、レジスト硬化層1aや層間絶縁膜4からレジスト側壁への再付着する生成物の量を低減することができ、またクラウン除去工程においても除去し易い形でコンタクトホール5周りにクラウン6が形成される。
請求項（抜粋）：
絶縁膜を被覆したアルミニウムに対しレジストパターニングを施し、ドライエッチングによりアルミニウム上にヴィアコンタクト用ホールを形成する方法であって、前記ドライエッチングによるホール形成時に、非堆積性のフッ素系ガスを使用することを特徴とするヴィアコンタクト用ホール形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3065
H01L 21/90 A
, H01L 21/302 F
