局所的に縮小した寿命領域を有する半導体装置およびその半導体装置の製造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：吉武賢次 , 玉真正美 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-553628
公開番号（公開出願番号）：特表2005-513783
出願日： 2002年11月06日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

局所的に縮小した寿命領域(1、25,41)は、実質的にシリコンで形成される半導体装置に設けられる。所定の濃度のカーボンがその領域に設けられると、本体は、実質的にカーボン領域内で寿命を制御する不純物を添加するために加熱される。シリコン格子部分での不純物イオン(M+)とカーボン原子(C)との間の結合は、有意な捕獲横断面を有するC-M+錯体を生成すると考えられる。カーボンは、シリコン材料のエピタキシャル生成中での添加、シリコンのバルク生成中での添加、あるいは注入および拡散の少なくとも一方による添加によって設けることができる。

請求項（抜粋）：

実質的にシリコンで形成された半導体本体を有する半導体装置であって、前記本体は、電荷キャリアが前記半導体装置の動作中に流れるアクティブデバイスエリアを含み、前記アクティブデバイスエリアは、所定濃度のカーボンを有する領域を含み、寿命を制御する不純物が、実質的にカーボン領域内に供給された本体内に供給される半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/861 , H01L21/331 , H01L29/732 , H01L29/747

FI (3件)：

H01L29/91 J , H01L29/747 , H01L29/72 P

Fターム (4件)：

5F003BP23 , 5F003BP31 , 5F005AG01 , 5F005GA01

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