特許

J-GLOBAL ID：200903081964001478

酸化物半導体を用いた強誘電体メモリ素子

発明者： 薮田 久人
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丹羽 宏之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-247067
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060170
出願日： 2001年08月16日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体酸化物材料をゲート酸化物に用いたトランジスタ型の不揮発性メモリ素子に関して、プロセスによる特性劣化なく高品位な強誘電体ゲートを形成できる酸化物半導体を用いたトランジスタを用いながら、簡略化した工程により高性能な素子特性を得ることができる構造を有する強誘電体メモリ素子を提供する。【解決手段】 酸化物半導体と接するように強誘電体ゲートが存在し、強誘電体ゲートの酸化物半導体と接する面と反対面にはゲート電極が存在するという構成であり、酸化物半導体のうち強誘電体ゲートと接するチャネル部を挟むように、ソース電極とドレイン電極が該酸化物半導体に接して存在し、かつソース電極とドレイン電極が該酸化物半導体と接触することでショットキー障壁接合を生じる材料であり、酸化物半導体とそれぞれの電極の界面にショットキー障壁接合が形成されているという構成の強誘電体メモリ素子。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体、ソース電極、ドレイン電極、ゲート酸化物、ゲート電極を有するトランジスタにおいて、半導体は金属酸化物半導体材料により構成され、該金属酸化物半導体に接して形成されるゲート酸化物は強誘電体酸化物により構成され、ソース電極およびドレイン電極は該金属酸化物半導体に直接接して形成され、該金属酸化物半導体との接合によりショットキー接合を生ずる金属材料により構成されることを特徴とする酸化物半導体を用いた強誘電体メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 444 A ,  H01L 29/78 371

Fターム (21件)：

5F083FR05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA28 ,  5F083HA02 ,  5F083HA07 ,  5F083HA10 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA42 ,  5F083JA47 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR25 ,  5F083PR36 ,  5F101BA62 ,  5F101BD02 ,  5F101BH02 ,  5F101BH09