特許
J-GLOBAL ID：200903081965815460
波長可変半導体レーザ装置及び波長可変半導体レーザ集積装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-106715
公開番号（公開出願番号）：特開2003-304029
出願日： 2002年04月09日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 レーザ特性、波長可変特性が良好なTTGレーザ型の波長可変半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 波長可変半導体レーザ装置は、p-InP基板11上に、p-InP下部クラッド層13、波長可変層14、n-InP中間層15、MQW活性層16、p-InPスペーサ層17、p-回折格子18、及び回折格子18を埋め込んだp-InP埋め込み層19の積層構造のメサを有する。メサの側面にはn-InPコンタクト層20が設けられている。メサ及びn-InPコンタクト層20上にp-InP上部クラッド層21、及びp-InPキャップ層22が積層されている。p-InP基板11の表面部分にn-InP電流ブロック層12が設けられている。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に順次に設けられた、第1導電型の第1クラッド層、波長可変層、第2導電型の中間層、活性層、第1導電型の回折格子、及び第1導電型の回折格子埋め込み層を有する積層構造からなるメサと、前記メサの両側を埋め込んだ第2導電型のコンタクト層と、前記メサ上、及び前記メサの少なくとも一方の側の前記コンタクト層の一部を露出面として露出させるようにして前記コンタクト層上に設けられた第1導電型の第2クラッド層と、前記第2クラッド層上及び前記半導体基板の裏面に夫々設けられた、第1及び第2の第1導電側電極と、前記コンタクト層の露出面上に設けられた第2導電側電極と、前記メサの下部を除き前記半導体基板の表面部分に形成された第2導電型の電流ブロック層とを備えていることを特徴とする波長可変半導体レーザ装置。
IPC (5件)：
H01S 5/062
, H01S 5/12
, H01S 5/227
, H01S 5/40
, H01S 5/50 610
H01S 5/062
, H01S 5/12
, H01S 5/227
, H01S 5/40
, H01S 5/50 610
5F073AA22
, 5F073AA51
, 5F073AA61
, 5F073AA64
, 5F073AA89
, 5F073AB12
, 5F073AB21
, 5F073AB25
, 5F073CA12
, 5F073DA27
, 5F073DA35
