特許

J-GLOBAL ID：200903081967873913

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 横川 賢悦 ,  伊澤 勝 ,  板橋 直志 ,  根岸 伸幸 ,  田地 新一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-130237
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223367
出願日： 2005年04月27日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

【課題】 プラズマ生成条件である放電電力,原料ガスの圧力,流量,組成とは独立にプラズマ内の活性種を制御して高精度に処理性能を制御できおよび特性を長期間安定に維持することができるプラズマ処理を提供する。【解決手段】 300から500MHzの電磁波と磁場の相互作用でプラズマを形成し、電磁波導入用平面板に50kHzから30MHzの電磁波を該300から500MHzの電磁波に重畳させ、さらに平面板と被加工試料の間隔を被加工試料の径の1/2以下とする構成とし、間隔に依存した活性種制御で行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電磁波を放射し、被加工試料と対向して設けられた平面板と前記被加工試料との間隔が、30mmから前記被加工試料の径の1/2以下に設定され、 原料ガスをプラズマ化し、前記プラズマ中の活性種の反応を制御するように、前記平面板から300MHz以上500MHz以下の範囲の電磁波を放射する手段を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (1件)：

H01L21/3065

FI (1件)：

H01L21/302 101D

Fターム (19件)：

5F004AA01 ,  5F004AA02 ,  5F004BA06 ,  5F004BA07 ,  5F004BA09 ,  5F004BA14 ,  5F004BA16 ,  5F004BB07 ,  5F004BB11 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA05 ,  5F004CA08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03