特許

J-GLOBAL ID：200903081970475147

レティクル、該レティクルを用いた露光方法、及び該露光方法を用いて作製した半導体装置

発明者： 古川 順一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-360811
公開番号（公開出願番号）：特開2002-162730
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 露光光の反射光等によってレティクル受光エリア以外のパターンが転写されることを防止し、素子受光エリアにおける開口パターンの大きさにばらつきが少ない素子パターンを転写することが可能なレティクル、該レティクルを用いた露光方法、及び該露光方法を用いて作製した半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 レティクル10の中央部に、素子パターンが描画されたレティクル受光エリア12を有し、そこには中央部のCCD受光エリア部14、その周囲の周辺回路エリア部16等が設けられている。また、その周囲に、レティクル・ブラインドを回折する露光光を遮蔽するに十分な幅をもち、その外縁が4方に隣接する素子領域の周辺回路エリアの位置に投影される遮光帯20が設けられている。更にその外側に、光透過性のレティクル周辺エリア22が設けられ、そこには金属細線の十字マークが描画された位置合わせ用のレティクル・アライメント・マーク24が4箇所に設けられている。

請求項（抜粋）：

投影露光に使用するレティクルであって、中央部の素子受光エリア及び前記素子受光エリアの外周部の周辺回路エリアを有する素子領域のパターンが描画されたレティクル受光エリアと、前記レティクル受光エリアの周囲に設けられ、露光の際にレティクル・ブラインドに覆われる遮光帯と、前記遮光帯の周囲に設けられ、露光の際に前記レティクル・ブラインドに完全に覆われる光透過性のレティクル周辺エリアと、前記レティクル周辺エリアに設けられた非透過性細線からなる位置合わせマークと、を具備し、前記遮光帯が、露光の際に前記レティクル・ブラインドを回折する露光光を遮蔽するに十分な幅をもつと共に、前記遮光帯の外縁が、露光の際の隣接する素子領域の周辺回路エリアの位置に投影されるようになっていることを特徴とするレティクル。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

G03F 1/08 Z ,  G03F 1/08 N ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 515 F ,  H01L 21/30 515 D

Fターム (13件)：

2H095BA02 ,  2H095BB31 ,  2H095BC04 ,  2H095BE03 ,  2H095BE08 ,  5F046BA04 ,  5F046CB05 ,  5F046CB17 ,  5F046CB23 ,  5F046EA02 ,  5F046EB02 ,  5F046EB08 ,  5F046ED01