特許

J-GLOBAL ID：200903081981364266

フォトマスク用ガラス基板及びその製造方法

発明者： 竹内 正樹 ,  柴野 由紀夫
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-122397
公開番号（公開出願番号）：特開2002-318450
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【解決手段】 表面に遮光膜がパターニングされてなるガラス基板の露光時における露光面の平坦度が、露光面の面積1cm2あたり0.04nm以上2.2nm以下になるように局所的にプラズマエッチングすることによって得られたフォトマスク用ガラス基板。【効果】 本発明によれば、IC等の製造の際に重要な光リソグラフィ法で使用されるフォトマスク用シリカガラス系基板等において、フォトマスク露光時に露光面やフォトマスク保持面が極めて平坦になる形状のガラス基板を提供することができ、これによって半導体分野のさらなる高精細化につながる。

請求項（抜粋）：

表面に遮光膜がパターニングされてなるガラス基板の露光時における露光面の平坦度が、露光面の面積1cm2あたり0.04nm以上2.2nm以下になるように局所的にプラズマエッチングすることによって得られたフォトマスク用ガラス基板。

IPC (3件)：

G03F 1/14 ,  C03C 15/00 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/14 A ,  C03C 15/00 A ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (8件)：

2H095BB17 ,  2H095BC27 ,  2H095BC28 ,  4G059AA08 ,  4G059AB05 ,  4G059AC03 ,  4G059AC24 ,  4G059BB01