特許
J-GLOBAL ID:200903081984027805

太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-292563
公開番号(公開出願番号):特開平10-135494
出願日: 1996年11月05日
公開日(公表日): 1998年05月22日
要約:
【要約】【課題】 太陽電池に関し、単結晶基板に格子整合した化合物半導体層を用いて太陽電池の効率を高める。【解決手段】 Si1-x Gex 単結晶基板1上に、Si1-x Gex 単結晶基板1と格子整合し、且つ、pn接合を有する少なくとも一層の化合物半導体層2を設ける。
請求項(抜粋):
Si1-x Gex 単結晶基板上に、前記Si1-x Gex 単結晶基板と格子整合し、且つ、pn接合を有する少なくとも一層の化合物半導体層を設けたことを特徴とする太陽電池。

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