特許

J-GLOBAL ID：200903081986874246

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 河路 幹規 ,  西沢 裕孝 ,  英 善明 ,  丹場 展雄 ,  平本 俊郎 ,  池田 隆英
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-322185
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177233
出願日： 1992年12月02日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 SOI構造の半導体集積回路装置において、陽イオンが素子形成領域に侵入するのを抑制または防止する。【構成】 SOI構造を有する半導体集積回路装置1において、支持基板5と半導体層7との間の絶縁層6を、SiO2 からなる絶縁層6aと、陽イオンが透過することのできない性質を有するSi3 N4 からなる絶縁層6bとの積層構造とした。

請求項（抜粋）：

半導体からなる支持基板と、前記支持基板上に絶縁層を介して形成された半導体層と、前記半導体層の主面から絶縁層に達するようにまたは絶縁層を貫通するように形成された分離部とを有するSOI構造の半導体集積回路装置であって、前記絶縁層の少なくとも一部に、陽イオンの拡散を妨げる機能を持たせたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 27/12