特許

J-GLOBAL ID：200903081987338143

新規なメルカプト置換イミダゾリルポルフィリン金属錯体単量体及びこれを繰り返し単位として有する重合体並びにこれらの製造方法

発明者： 小夫家 芳明 ,  小川 和也
出願人/特許権者： 奈良先端科学技術大学院大学長
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068766
公開番号（公開出願番号）：特開2001-253883
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月18日
要約：

【要約】【課題】 人工光合成および新規な太陽電池材料へ応用展開することのできるナノメートル単位の極めて微小な光エネルギー、電子エネルギー伝達ディバイスであって、電極表面と強く安定に接合することができ、かつ結線・断線が容易な自己組織化で構築されたディバイスを提供すること。【解決手段】 次の一般式(1)により表されるメルカプト置換イミダゾリルポルフィリン金属錯体単量体、及びこれを単量体として有する重合体。【化1】

請求項（抜粋）：

次の一般式(1):【化1】{式中、R1は、アルキル基、無置換のアリール基、アルキル置換アリール基及びアルキルオキシ置換アリール基からなる群から選択される基を表し、Mは、Zn、Ga、Ru、Fe及びCoからなる群から選択される金属を表し、Xは、アリーレン基及びアルキレン基の少なくとも一方を含む二価の連結基を表し、R2は、水素原子又はアセチル基を表し、Imは、以下のIm1又はIm2:【化2】(式中、R3は、水素原子又はアルキル基を表す。)により表されるイミダゾリル基を表す。}で表されるメルカプト置換イミダゾリルポルフィリン金属錯体単量体。

IPC (4件)：

C07D487/22 ,  C08G 79/00 ,  H01B 1/12 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

C07D487/22 ,  C08G 79/00 ,  H01B 1/12 Z ,  H01L 31/04 Z

Fターム (12件)：

4C050PA04 ,  4C050PA05 ,  4C050PA07 ,  4J030CA03 ,  4J030CB14 ,  4J030CC04 ,  4J030CC05 ,  4J030CC30 ,  4J030CD11 ,  4J030CE02 ,  4J030CG02 ,  5F051AA14