特許

J-GLOBAL ID：200903081988103824

厚膜二酸化ケイ素の被覆方法

発明者： 野田 和裕
出願人/特許権者： グンゼ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-266406
公開番号（公開出願番号）：特開2001-089126
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：

【要約】【課題】基体面へのポリシラザンによるSiO2膜の塗膜に関し、より厚膜にしてもクラックが入らず、より硬質で強靱なSiO2膜を被覆する手段を提供すること。【解決手段】基体にポリシラザン溶液を塗布し、化学的処理して二酸化ケイ素膜を被覆する方法において、次の(A)〜(D)の各工程が順次行なわれることを特徴とする厚膜二酸化ケイ素の被覆方法。(A)基体にポリシラザン溶液を塗布し、蒸発乾燥する工程、(B)空気中で加熱処理する工程、(C)加熱水蒸気で処理する工程、(D)水蒸気を含むガス状のアミン系化合物で処理する工程。該ポリシラザン溶液が、金属系触媒を含有しないペルヒドロポリシラザンの溶液にとって、より有効である。例えば二酸化ケイ素の膜厚が1.2μmでもクラックが入るようなことはない。

請求項（抜粋）：

基体にポリシラザン溶液を塗布し、化学的処理して二酸化ケイ素膜を被覆する方法において、次の(A)〜(D)の各工程が順次行なわれることを特徴とする厚膜二酸化ケイ素の被覆方法。(A)基体にポリシラザン溶液を塗布し、蒸発乾燥する工程、(B)空気中で加熱処理する工程、(C)加熱水蒸気で処理する工程、(D)水蒸気を含むガス状のアミン系化合物で処理する工程。

IPC (3件)：

C01B 33/12 ,  C08J 7/04 CFD ,  C08L 67:02

FI (3件)：

C01B 33/12 C ,  C08J 7/04 CFD M ,  C08L 67:02

Fターム (15件)：

4F006AA35 ,  4F006AB39 ,  4F006AB67 ,  4F006AB76 ,  4F006BA02 ,  4F006CA08 ,  4F006EA01 ,  4F006EA05 ,  4G072AA41 ,  4G072BB09 ,  4G072FF07 ,  4G072HH28 ,  4G072MM36 ,  4G072QQ06 ,  4G072RR05