特許
J-GLOBAL ID：200903081989117381
銅薄膜形成法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-072914
公開番号（公開出願番号）：特開平6-256950
出願日： 1993年03月08日
公開日（公表日）： 1994年09月13日
要約：
【要約】【目的】 反応室内で、基板上に形成された金属膜上に、銅薄膜を化学気相成長法によって堆積形成する銅薄膜形成法において、上記銅薄膜を、上記金属膜上に、それがその表面によって比較的小さな且つ比較的深い穴の内面を形成しているとしても、その穴をその穴内に隙間を残すことなく全く埋めて、容易に形成できるようにする。【構成】 上記銅薄膜形成法において、上記銅薄膜の原料として、液相の銅の1価の化合物を用い、その液相の銅の1価の化合物を流量制御してガス化し、それによって得られる量的に制御されている銅の1価の化合物のガスを、流量制御されたキャリアガスに乗せて、上記反応室内に、上記基板を上記銅の1価の化合物のガスが上記金属膜上で分解し得る温度よりも高いが銅の再結晶化温度よりも低い温度に加熱している状態で、導入させる。
請求項（抜粋）：
反応室内で、基板上に形成された金属膜上に、銅薄膜を、化学気相成長法によって堆積形成する銅薄膜形成法において、上記銅薄膜の原料として、液相の銅の1価の化合物を用い、その液相の銅の1価の化合物を流量制御してガス化し、それによって得られる量的に制御されている銅の1価の化合物のガスを、流量制御されたキャリアガスに乗せて、上記反応室内に、上記基板を上記銅の1価の化合物のガスが上記金属膜上で分解堆積成長し得る温度よりも高いが銅の再結晶化温度よりも低い温度に加熱している状態で、導入させることを特徴とする銅薄膜形成法。
IPC (3件)：
C23C 16/06
, C30B 23/00
, H01L 21/205
