特許
J-GLOBAL ID：200903081994958874
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-302462
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153287
出願日： 1993年12月02日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】チップ内部でダミーセルのしきい値を検出することができる不揮発性半導体記憶装置を提供すること。【構成】本発明の不揮発性半導体記憶装置は、不揮発性メモリセルM1 がスイッチ手段Q1 を介して接続されたビット線BLと、ダミーセルM2 が接続されたダミービット線DBLと、第1の負荷回路1と、第2の負荷回路2と、ビット線BLの電位とダミービット線DBLの電位とを比較するセンスアンプ5と、制御信号により動作する定電流回路9とを具備し、ダミーセルのしきい値調整時に、スイッチング手段Q1 はオフし、定電流回路9が動作することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリセルがスイッチ手段を介して接続されたビット線と、電荷蓄積層を有するMOSトランジスタから成るダミーセルが接続されたダミービット線と、前記ビット線と所定電位との間に接続された第1の負荷回路と、前記ダミービット線と前記所定電位との間に接続された第2の負荷回路と、前記ビット線の電位と前記ダミービット線の電位とを比較するセンスアンプと、前記ビット線の前記スイッチ手段と前記センスアンプとの間に接続された制御信号により動作する定電流回路とを具備し、前記ダミーセルのしきい値調整時に、前記スイッチング手段はオフし、前記定電流回路が動作することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 520 C
, G11C 17/00 309 E
