特許
J-GLOBAL ID：200903081997217565
半導体量子井戸箱の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-156262
公開番号（公開出願番号）：特開平5-346601
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】【目的】 従来の微細加工技術やエッチング技術を必要としない方法で量子井戸箱を製造する方法を提供する。【構成】 金属、半導体、酸化物、窒化物あるいは炭化物の島状構造膜を作製したアモルファス基板を用い、結晶成長法を用いてそれら島状構造上に選択的に半導体微結晶を成長する半導体量子井戸箱の製造方法。
請求項（抜粋）：
予め石英ガラス基板をはじめとするアモルファス基板に、後工程で成長する半導体材料に対して該基板よりも濡れ性が良いことを必須とする金属、半導体、酸化物、窒化物、もしくは炭化物の島状構造膜を形成する第1の工程と、この島状構造膜を有する基板を用いて通常のエピタキシャル成長と同じ成長条件のもとで、膜厚が0よりも大きく30nm以下となるように半導体原料を供給することにより、前記島状構造膜のそれぞれに選択的に半導体材料を成長させ微結晶を形成する第2の工程とから成ることを特徴とする半導体量子井戸箱の製造方法。
IPC (3件)：
G02F 1/35 505
, H01L 29/205
, H01S 3/18
